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Samsung lance la production de mémoire magnétique eMRAM en FD-SOI
jeudi 7 mars 2019, 13:30 , par Génération-NT
Samsung annonce la mise en production de mémoire magnétique eMRAM gravée en 28 nm FD-SOI qui vise à remplacer les composants Flash grâce à des performances très supérieures.
https://www.generation-nt.com/samsung-mram-emram-memoire-magnetique-production-actualite-1962840.htm
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56 sources (32 en français)
Date Actuelle
ven. 19 avril - 12:46 CEST
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