Samsung annonce de nouveaux transistors en 3 nm intégrant la technologie MBCFET

Samsung vient de faire l'annonce de l'arrivée prochaine d'un nouveau type de transistors à technologie MBCFET, qui viendront remplacer avec le temps, les transistors actuels qui sont à technologie FinFET.
Ces nouveaux transistors exploitent des nanosheets qui permettent le contact sur les 4 faces, nous sommes donc face à du quad-gate, alors qu'auparavant nous étions sur tri-gate en raison de l'exploitation de nanowire.
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