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Samsung : la gravure en 3 nm GAA dessine l'après FinFET
mercredi 15 mai 2019, 19:10 , par Génération-NT
Alors que la gravure en 7 nm entre dans les moeurs et qu'il est déjà question des variations en 6 nm et 5 nm, Samsung prend les devants et évoque la gravure...en 3 nm et les procédés qui doivent remplacer le FinFET (transistors 3D).
https://www.generation-nt.com/samsung-gravure-3-nm-gaa-mbcfet-finfet-actualite-1964922.html
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56 sources (32 en français)
Date Actuelle
sam. 15 nov. - 18:12 CET
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