Samsung développe un V-NAND de 400 couches pour des futurs SSD Gen 5.0 de 16 To

Samsung prévoit donc de lancer d'ici 2026 une mémoire flash V-NAND de dixième génération comportant au moins 400 couches empilées verticalement. Cette avancée vise à répondre à la demande croissante de solutions de stockage haute capacité, notamment pour les centres de données axés sur l'intelligence artificielle.
Pour surmonter les défis liés à l'empilement de plus de 300 couches, qui peut endommager les circuits périphériques, Samsung développe la technologie Bonding Vertical (BV) NAND. Cette méthode consiste à fabriquer séparément les cellules mémoire et les circuits périphériques sur des wafers distincts, puis à les assembler verticalement. Cette approche devrait augmenter la densité de bits par unité de surface de 60 %, améliorant ainsi la capacité, les vitesses de transfert de données et l'efficacité thermique. […]
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